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华为“芯片及其制备方法”专利公开:提升芯片强度

2021-02-04 09:30:04 【东智精密】   来源: 快科技     阅读

企查查APP显示,克日,华为手艺有限公司公然一种“芯片及其制备要领、电子装备”专利,用于解决裸芯片上泛起裂纹,导致裸芯片失效的问题。

该专利公然号CN112309991A,申请日2019年7月26日,公然日2021年2月2日。

华为公然“芯片及其制备要领”专利:提升芯片强度 解决裂纹

华为公然“芯片及其制备要领”专利:提升芯片强度 解决裂纹

华为在专利说明书中表现,电子系统中的焦点部件则为裸芯片,裸芯片结构的稳固性决议了电子系统的稳固性。

然而,在现有手艺中,制备裸芯片,或对裸芯片举行封装时,因受热或受压后容易泛起裸芯片中膜层与膜层之间开裂,或者膜层断裂,导致裸芯片失效的问题。

本申请实行例提供一种芯片及其制备要领、电子装备,用于解决裸芯片上泛起裂纹,导致裸芯片失效的问题。

芯片,包罗功效区和位于功效区外围的非功效区,芯片包罗:半导体基底;多层介电层,设置于半导体基底上,且介 电层的一部门位于非功效区;至少一个第一增强件,位于非功效区;第一增强件嵌入至少两层介 电层,且第一增强件与其嵌入的介电层相毗连。

泉源:快科技

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