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安森美半导体发布新的 650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

2021-02-19 09:30:04 【东智精密】   来源: 安森美半导体     阅读

优异的开关和更高的可靠性在种种挑战性应用中提高功率密度

2021年2月18日,推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),公布一系列新的碳化硅 (SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计职员用新的SiC器件取代现有的硅开关手艺,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不中断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

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(企业供图)

安森美半导体新的车规AECQ101和工业级及格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带质料,提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能,因而提高系统级能效、功率密度,及减小电磁滋扰()、系统尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET接纳新颖的有源单元设计,联合先进的薄晶圆手艺,可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1接纳D2PAK7L和To247封装,具有市场最低的Rdson (12 mOhm)。 这手艺还优化能量损失品质因数,从而优化了汽车和工业应用中的性能。 内置门极电阻 (Rg)为设计职员提供更大的天真性,而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速率。 更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。

安森美半导体先进电源分部高级副总裁Asif Jakwani在公布新品时说:“在现代电源应用中,如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源、企业盘算及电信等其他应用, 高能效、可靠性和功率密度是设计职员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比一律的硅开关手艺显著提高性能,使工程师能够知足这些具有挑战性的设计目的。 增强的性能降低消耗,从而提高能效,淘汰热治理需求,并降低电磁滋扰(EMI)。使用这些新的SiC MOSFET的最终效果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。”

新器件均为外貌贴装,并提供行业尺度封装类型,包罗TO247和D2PAK。

更多资源及文档:

上岸页:宽禁带方案

产物页:650 V SiC MOSFET

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够淘汰全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供周全的高能效电源治理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产物资助工程师解决他们在汽车、通讯、盘算机、、工业、医疗、航空及国防应用的奇特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、天下一流的供应链及品质项目,一套强有力的遵法和道德规范企图,及在北美、欧洲和亚太地域之要害市场运营包罗制造厂、销售服务处及设计中央在内的营业网络。

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